| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 | 
        
	    
		    |  Arrow(艾睿)
 | IPP084N06L3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1000+:¥3.981+:¥7.36 10+:¥5.91
 100+:¥4.55
 500+:¥4.02
 1000+:¥3.93
 2500+:¥3.6
 10000+:¥3.5199
 25000+:¥3.4
 50000+:¥3.
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		    |  Digi-Key 得捷电子
 | IPP084N06L3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1000+:¥3.98 | 
	    
	    
		    |  Mouser 贸泽电子
 | IPP084N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 | 1:¥11.30 10:¥9.6841
 100:¥7.4467
 500:¥6.5766
 1,000:¥5.198
 
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		    |  Mouser 贸泽电子
 | IPP084N06L3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1000+:¥3.981+:¥7.36 10+:¥5.91
 100+:¥4.55
 500+:¥4.02
 1000+:¥3.93
 2500+:¥3.6
 10000+:¥3.5199
 25000+:¥3.4
 50000+:¥3.3301
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		    |  立创商城
 | IPP084N06L3 G | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 1+:¥5.01 10+:¥3.66
 30+:¥3.42
 100+:¥2.853
 500+:¥2.754
 1000+:¥2.709
 
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		    |  立创商城
 | IPP084N06L3 G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 34uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥8.72 200+:¥3.38
 500+:¥3.26
 1000+:¥3.2
 
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