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IPP084N06L3 G /MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3
IPP084N06L3 G的规格信息
IPP084N06L3 G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Infineon

产品种类:MOSFET

RoHS:

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

通道数量:1 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Id-连续漏极电流:50 A

Rds On-漏源导通电阻:8.4 mOhms

Vgs - 栅极-源极电压:20 V

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商标名:OptiMOS

封装:Tube

高度:15.65 mm

长度:10 mm

系列:OptiMOS 3

晶体管类型:1 N-Channel

宽度:4.4 mm

商标:Infineon Technologies

下降时间:7 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:26 ns

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:37 ns

典型接通延迟时间:15 ns

零件号别名:IPP084N06L3GXKSA1 IPP84N6L3GXK SP000680838

单位重量:6 g

供应商IPP084N06L3 G
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供应商型号地址联系电话联系人在线联系询价
现代芯城(深圳)科技有限公司IPP084N06L3 Gwww.nowchip.com0755-27381274
18098996457
董先生Email:arthur@nowchip.com询价
深圳市芯幂科技有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
深圳市百视威讯电子科技有限公司IPP084N06L3 G华强广场C座18J0755-27381274
18098996457
董先生skype:微信15013613919Email:15013613919@163.com询价
深圳市微碧半导体有限公司IPP084N06L3 G-VB深圳市福田区华强北街道荔村社区振兴路120号赛 格科技园4栋东5层5020755-83204141
18118747668
许小姐Email:Reeta@vbsemi.cn询价
深圳市毅创腾电子科技有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区华强北路现代之窗大厦B座18I室0755-83616256 / 83210909
13725570869
朱小姐Email:szyctdz@163.com询价
深圳市安富世纪电子有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区中航路都会轩24060755-82573210
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杨丹妮Email:2881358670@qq.com询价
深圳市坤融电子有限公司IPP084N06L3 G航都大厦10I0755-23990975
13926529829,17318082080
肖瑶,树平Email:hzk@krchips.com询价
集好芯城IPP084N06L3 G深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
18188616613
郑小姐Email:sam@678ic.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区汉国中心55楼0755-82790891
18126117392
陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市宇浩扬科技有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区华强北上步工业区201栋3160755-83223003
13826514222
余先生,张先生Email:grady4222@126.com询价
集好芯城IPP084N06L3 G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
13360071553
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深圳市拓亿芯电子有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区振兴西路华康大厦2栋6030755-82777855,0755-82702619
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芯莱德电子(香港)有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区航都大厦10L13352985419
13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市博浩通科技有限公司IPP084N06L3 G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
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深圳市智连鑫科技有限公司IPP084N06L3 G深圳市龙岗区龙岗街道新生村新围4巷7号一楼13357276588
13357276588
张小姐Email:350367849@qq.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司IPP084N06L3 G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
13923432237
谢先生Email:3003989381@qq.com询价
深圳瀚顺芯电子科技有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区福田街道皇岗社区吉龙一村26栋801室18927111567Email:1585681270@qq.com询价
深圳市斌腾达科技有限公司IPP084N06L3 G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳和润天下电子科技有限公司IPP084N06L3 G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市科思奇电子科技有限公司IPP084N06L3 G上步工业区501栋1109-11100755-83245050
18923762408 “13538131418”
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IPP084N06L3 GMOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3Infineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO681.25 Kbytes共10页IPP084N06L3 G的PDF下载地址
IPP084N06L3 G连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 34uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道Infineon(英飞凌)Infineon(英飞凌)的LOGO427.90 Kbytes共11页IPP084N06L3 G的PDF下载地址
IPP084N06L3 G的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
IPP084N06L3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A1000+:¥3.981+:¥7.36
10+:¥5.91
100+:¥4.55
500+:¥4.02
1000+:¥3.93
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10000+:¥3.5199
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Digi-Key 得捷电子
IPP084N06L3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A1000+:¥3.98
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Mouser 贸泽电子
IPP084N06L3 GInfineon TechnologiesMOSFET N-Ch 60V 50A TO220-31:¥11.30
10:¥9.6841
100:¥7.4467
500:¥6.5766
1,000:¥5.198
元器件资料网-Mouser 贸泽电子的LOGO
Mouser 贸泽电子
IPP084N06L3 GInfineonFET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A1000+:¥3.981+:¥7.36
10+:¥5.91
100+:¥4.55
500+:¥4.02
1000+:¥3.93
2500+:¥3.6
10000+:¥3.5199
25000+:¥3.4
50000+:¥3.3301
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立创商城
IPP084N06L3 GVBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥5.01
10+:¥3.66
30+:¥3.42
100+:¥2.853
500+:¥2.754
1000+:¥2.709
元器件资料网-立创商城的LOGO
立创商城
IPP084N06L3 GInfineon(英飞凌)连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 34uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道1+:¥8.72
200+:¥3.38
500+:¥3.26
1000+:¥3.2