销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
 Arrow(艾睿) | IPP084N06L3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1000+:¥3.981+:¥7.36 10+:¥5.91 100+:¥4.55 500+:¥4.02 1000+:¥3.93 2500+:¥3.6 10000+:¥3.5199 25000+:¥3.4 50000+:¥3. |
 Digi-Key 得捷电子 | IPP084N06L3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1000+:¥3.98 |
 Mouser 贸泽电子 | IPP084N06L3 G | Infineon Technologies | MOSFET N-Ch 60V 50A TO220-3 | 1:¥11.30 10:¥9.6841 100:¥7.4467 500:¥6.5766 1,000:¥5.198
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 Mouser 贸泽电子 | IPP084N06L3 G | Infineon | FET - 单 OptiMOS?? 分立半导体产品 半导体 MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 60V 50A | 1000+:¥3.981+:¥7.36 10+:¥5.91 100+:¥4.55 500+:¥4.02 1000+:¥3.93 2500+:¥3.6 10000+:¥3.5199 25000+:¥3.4 50000+:¥3.3301 |
 立创商城 | IPP084N06L3 G | VBsemi(台湾微碧) | MOS(场效应管) | 1+:¥5.01 10+:¥3.66 30+:¥3.42 100+:¥2.853 500+:¥2.754 1000+:¥2.709
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 立创商城 | IPP084N06L3 G | Infineon(英飞凌) | 连续漏极电流(Id)(25°C 时):50A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.2V @ 34uA 漏源导通电阻:8.4mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):79W(Tc) 类型:N沟道 | 1+:¥8.72 200+:¥3.38 500+:¥3.26 1000+:¥3.2
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